• 时间:
  • 分类: 知道

金融界2025年7月18日消息，国家知识产权局信息显示，深圳市尚鼎芯科技股份有限公司申请一项名为“一种低导通压降高压平面栅IGBT器件”的专利，公开号CN120343934A，申请日期为2025年06月。

专利摘要显示，本发明涉及一种低导通压降高压平面栅I GBT器件，属于半导体器件技术领域，包括CT和Gate，且CT和Gate形成方形原胞结构；所述方形原胞四个拐角未放置Gate，所述CT位于方形原胞四个拐角，位于所述Gate外侧；方形原胞设计可调整所述CT和所述Gate面积占比，实现导通压降和短路电流的折中优化；所述Gate为多边形设计，中间未设置Gate，未设置Gate区域也为多边形。该低导通压降高压平面栅I GBT器件，采用条形和多边形设计结合的结构，提高器件击穿电压、导通压降、短路电流这几个关键参数设计的灵活度，可以更好地实现增加击穿电压、降低导通压降、提升短路能力的折中优化。

天眼查资料显示，深圳市尚鼎芯科技股份有限公司，成立于2011年，位于深圳市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本4000万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳市尚鼎芯科技股份有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目1次，财产线索方面有商标信息4条，专利信息30条，此外企业还拥有行政许可16个。

本文源自金融界

标签: none